懒小木 – 半导体器件建模仿真与分析教程

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📋资源信息

资源名称：懒小木 – 半导体器件建模仿真与分析教程
资源类型：课程
资源大小：N
资源标签：#学习 #知识 #课程 #资源
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📝资源简介

半导体器件的建模和分析是器件设计的核心环节，熟练掌握器件的建模与分析方法，能够帮助我们更好地开展器件设计和分析工作，提高设计效率，缩短研发周期。文章源自贰玖库-https://2k9.net/6691.html

📁资源目录

懒小木 – 半导体器件建模仿真与分析教程文章源自贰玖库-https://2k9.net/6691.html

• 0001–1.1-半导体器件建模概述_linux基础与软件安装.mp4
• 0001–1.2-半导体物理基础简述.mp4
• 0001–1.3-半导体器件物理简述.mp4
• 0001–1.4-一维PN结的数值求解.mp4
• 0001–2-3__TDR文件的后处理与SJ-LDMOS结构建模.mp4
• 0001–2-4-FinFET_Nanosheet器件建模与随机涨落方法.mp4
• 0001–2-5-网格划分的基础知识与评价标准.mp4
• 0001–2.1-二维MOSFET的建模与SWB的基本原理.mp4
• 0001–2.2-Trench_IGBT的建模与SWB的基本原理（二）.mp4
• 0001–3-1-MOSFET器件静态与瞬态特性的求解.mp4
• 0001–3-10-交流小信号分析.mp4
• 0001–3-11-交流小信号分析（二）.mp4
• 0001–3-12-模型参数修改与新建材料(Ga2O3_MOSFET与SiGe_Diode).mp4
• 0001–3-13-隧穿模型与隧穿器件.mp4
• 0001–3-14-非完全电离_各向异性与SiC_MOSFET仿真.mp4
• 0001–3-15_极化效应与GaN_HEMT.mp4
• 0001–3-16_sdevice求解流程、Math设置与收敛性调整思路.mp4
• 0001–3-2.TCL编程与SVISUAL自动化数据处理（一）.mp4
• 0001–3-3-器件仿真中的物理模型（一）.mp4
• 0001–3-4_物理模型（二）与温度仿真.mp4
• 0001–3-5_碰撞电离与击穿特性仿真.mp4
• 0001–3-6_SPICE模型、混合模式与sdevice编程-一个环振的仿真.mp4
• 0001–3-7-混合模式（二）-修改SPICE模型参数___SVISUAL动画自动生成.mp4
• 0001–3-8-缺陷与辐照特性仿真（单粒子效应与总剂量效应）.mp4
• 0001–3-9-缺陷（二）与辐照特性仿真（总剂量效应）.mp4
• 0001–4-1_-半导体工艺技术简述.mp4
• 0001–工艺仿真提前梳理（临时）.mp4
• 0002–4-2_版图绘制基础（上）.mp4
• 0003–4-3-版图绘制（中）-Cell处理与实用小工具.mp4
• 0004–4-4-版图绘制（下）-派生图层与宏命令编写.mp4
• 0005–4-5-工艺仿真基础（一）.mp4
• 0006–4-6-工艺仿真基础（二）-Static与Adaptive网格设置.mp4
• 0007–4-7-工艺仿真基础（三）(上).mp4
• 0008–4-8-工艺仿真基础（三）（下）.mp4
• 0009–4-9基于ICWBEV的工艺仿真，实现纵向和横向设计的完美分离，提高仿真效率.mp4
• 0010–4-10-基于ICWBEV的工艺仿真（二）与光电二极管仿真.mp4
• 0011–4-11-sprocess结构生成（刻蚀、淀积）与MGOALS.mp4
• 0012–4-12_离子注入仿真（上）.mp4

📅 本文最后更新于：3月11日，浏览本站遇到任何问题都可以留言反馈！文章源自贰玖库-https://2k9.net/6691.html